哈工大公布突破性技术，美国媒体：如何制裁？

　　哈工大公布突破性技术，美国媒体：如何制裁？

　　对于其他国家的公司，美国方面并没有退缩的意思，甚至还在不断地尝试着向外扩张，并且对许多国家的半导体技术进行了严格的控制。比如EUV光刻机，中国想要拿到这些技术，就必须自主研发，只有这样才能在市场上站稳脚跟。

　　好消息是，很多研究单位、大学都有了新的研究成果，比如哈尔滨工业大学，就公布了一种可以“捅破天”的新技术，这让美媒体很郁闷：这还怎么搞？

　　随着国家半导体行业的加速发展，对光刻设备的需求量也越来越大。目前国内的光刻设备，还不能与28nm及其他先进工艺相媲美，只能依靠ASML的进口。虽然有保证的生产和品质，但进口的光刻设备很容易被卡颈。

　　

　　到目前为止，ASML公司生产的最尖端极紫外光刻机，还不能随意对外销售，就连最尖端的深紫外光刻机，都要受到限制。现在是时候接受这个事实了，不管外国的仪器有多先进，都是外国的，他们必须要有自己的技术，才能突破技术的封锁。

　　但EUV光刻机的制造难度有多大？国内的科技水平，究竟能走到哪一步？

　　制作一台极紫外光刻设备是一个很大的工程。该光刻工艺采用的是超紫外光，由于超紫外光的波长仅为13.5nm，所以必须采用特定的反射面及光学器件才能实现对超紫外光的聚焦与修正。

　　

　　这种元素必须有很高的精确度和纯净度。另外，极紫外光刻工艺对于高精度、高精度、高亮度的照明光源也有很高的要求。极紫外光刻工艺还有很多其它方面的问题，如光刻胶的选择，掩膜的制作，以及光刻机的制作与维修。

　　这类问题对专家的要求很高，对专家的研究也很有挑战性。

　　虽然中国在该技术上仍存在着很大的差距，但中国在EUV光刻技术上已经有了一定的突破，例如在哈尔滨工业大学公布的一种“捅破天”的技术，可以用于EUV上，即“能量转换等离子体电路”，将DPP-EUV光从原理上推向了实际。

　　

　　在EUV光刻系统中，光源的选择对系统的解析度、稳定性有很大的影响。该光刻机所用的是超紫外线（EUV）波段的超紫外线（EUV)，该波段仅为13.5nm，对该波段的激发与调控要求很高。

　　另外，对极紫外光的强度及稳定性要求极高，才能保证光刻设备的稳定运转及制程品质。

　　而哈尔滨工业大学研制出来的DPP-EUV光源，则是一台极紫外光刻机，将一股空气注入到狭长的狭长腔内，再将其释放出来，从而获得极紫外光。

　　

　　DPP-EUV光源具有高功率、高稳定等优点，是当前极紫外光刻技术的主流。DPP-EUV光源能有效地产生光线，因而能极大地提升EUV光刻的制作效率。

　　当然，为了将这种激光技术付诸实施，陈晨还必须解决其他关键技术，因为整个光刻机的制造过程十分复杂，光靠一种技术是远远不够的。不过，有了一次机会，就有了二次机会，直至打破坚冰。

　　一些美媒体惊呼，这是要如何进行贸易制裁？中国继续研究下去，肯定会有更大的进步。展望今后，中国仍有许多工作要做，要在国内的光刻技术上取得突破性进展，应从几个方向着手。

　　

　　第一点，就是在光刻机技术上，增加投资，重点突破高功率DPP-EUV光源、光刻胶、光刻机操控系统等核心技术。在此基础上，加大对我国光刻技术应用的力度，加大对我国光刻技术应用的力度。

　　第二条是要与国内有关的公司进行协作，防止重复建设，减少资源的消耗，实现优势互补，协同发展。并积极引导本土公司与国际知名公司进行合作，共同研发、制造，以提升本土公司的技术实力，增强其在国际上的竞争能力。

　　

　　当年ASML之所以能成功，也是因为他们跟台积电有过一段时间的合作，台积电为ASML做了大量的实验，并且为他们提供了大量的技术支援，从那以后，ASML和台积电就一直在互相扶持。台积电是ASML最大的顾客，而ASML则是台积电最大的光刻设备供货商。

　　国内生产厂家与国内生产光刻机的厂家也是一样，在研制出国内生产的时候，先进行技术测试，等国内生产出来的时候，再快速投放到商业上，加快工业化进程。

　　

　　他也期待着像是哈尔滨工业大学那样，能够在“电力转换等离子体电路”上取得更多的成果，为我国的光刻事业做出贡献。

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