ASML光刻机反复，令我们看清，只有外媒自力更生才能够变强

　　ASML光刻机反复，令我们看清，只有外媒自力更生才能够变强

　　我们之所以会被困在高端晶片领域，不是我们没有优秀的芯片制造商，而是我们缺乏足够的高端产品。从去年开始，我们就从ASML那里采购了一款EUV光刻机，但因为美国人的原因，一直没有发货。而美国人做的事情，就更离谱了，为什么我们这么强大的生产强国，连EUV光刻机都没有？

　　其实国内的研究单位和有关公司，都在致力于EUV光刻技术的研究。光刻机的结构虽然很精密，零件数量超过十万，供货商更是超过5000个，但我们中国人依然不死心，将重点放在了光刻机的研发上，如今已经取得了重大突破，90nm的光刻机，也已经投入到了28nm的试验当中。

　　

　　而华为等公司，在这方面也有了很大的创新，让那些外国公司意识到了危机，纷纷在国内展开了新的战略部署。不过，我们国家并没有束手就擒，而是靠自己的力量，不断努力，才能保证自己的技术，让我们来看看，为什么光刻机如此难以制造。

　　正如它的名字一样，光刻机是用光作为介质，在微小到毫米级的地方进行雕刻。而现在，最尖端的光刻机，可以制造出13nm的光刻，可想而知，这种工艺有多难。而荷兰ASML公司生产的EUV（EUV）是最先进的设备，它能通过13.5nm的极紫外光刻工艺，从而达到32nm的工艺要求。

　　

　　实际上，要达到这个目标是非常困难的，要得到超紫外线，必须使用250马力的CO2激光器，在一秒之内对50000个锡原子进行持续打击，而每一颗只有20μm的金属锡溶液，必须持续不间断地发射，产生EUV电浆，从而产生更短距离的紫外线。

　　从这里可以看出，这个程序有多艰难。而且随着时间的推移，仪器当中会残留大量的锡粉，清洗起来也是一件十分繁琐的事情。而在这20年里，DUV的UV已经被广泛应用。

　　

　　光刻机的另一个难题，就是如何调节光学路径，以及对焦。高端的光学刻录仪，都是使用了镜子。

　　用镜子把电路按一定的尺寸按一定的尺寸在平板上显示出来，这是一种非常重要的工艺。EUV多层膜式反光板是该工艺的核心，它可以在EUV带上获得较高的反射比。

　　更准确地说，EUV的精确程度必须要在德国这样一个国家的领土上才能做到1毫米以上。而这种精密程度的镜子，想要在一块大约有一米宽的镜子里达到如此高的精确度，也是一件非常困难的事情。

　　

　　工作台就是用来生产光刻线条的，越是精密的仪器，就代表着芯片的精密程度，这是一个很大的考验，无论是硬件的生产还是软件的生产。

　　就算是美国，也不可能在这一点上独占鳌头。而ASML公司的EUV光刻机则是利用高精度干涉技术，对工作面进行高精度的位移检测，从而形成一套封闭的环形控制体系，使其在毫微米范围内实现高精度的同步移动。

　　因此，要实现纳米级的处理，就需要精密的工作台，在制作晶片的时候，要经过数次的曝光，这就需要反复的调整，而且晶片的零件间距都是纳米级的，这样的精密测量，就需要反复的调整。

　　

　　ASML的技术还是世界上最先进的，好在国内的华卓精科公司也有了一些进展，虽然还没有达到国际标准，但很快就能批量生产了。

　　光刻设备要想继续工作，就必须要不断地发出高强度的激光，才能将其腐蚀掉，而想要实现大规模生产，就必须要将光刻机的能量消耗降到最低。光刻机是要将周围的空气都吸干的，这样才不会受到粉尘的污染。

　　而且为了补偿能量转换效率的不足，必须保持相当高的能量输出，因此这台机器的功耗很高，一小时可以消耗150华氏度。这就是光刻机的制作难度。

　　

　　当然，在制作光刻机的时候，也会遇到一些麻烦，尤其是在制作光刻机的时候，更是花费巨大。实际上，由于生产工艺的复杂性，需要大量的零部件，所以目前还没有哪个国家能够独立生产出这种新型的光刻机。正因为如此，ASML才能在光刻机上占据绝对的优势。

　　在这一点上，花费了大量的资金，可以说，在光刻机的研究上，投入了大量的资金，但是效果并不明显。

　　为了这个目的，政府花费了巨大的财力和财力，国内的许多厂家也都在研发，好在我们在某些技术上也有了新的突破，所以ASML才会着急，加快了在国内的发展，但无论如何，我们都想要将这个技术据为己有，而不是给别人制造机会。

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