霍尔效应原理

　　霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转所产生的，当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。

　　半导体试样，若在方向通以电流，在方向（垂直纸面向外）加磁场，则在方向即试样、电极两侧就开始积累异号电荷而产生相应的附加电场，电场的指向取决于试样的导电类型，显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移的，当载流子所受的横向电场力与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡。

　　霍尔效应实验，是指为了解霍尔效应测量磁场原理而进行的实验，需要使用到霍尔效应实验仪，了解霍尔效应测量磁场的原理和方法；观察磁电效应现象；学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。

　　

　　霍尔效应应用：

　　如果导体上存在恒定电流则可以测量电压差，或者如果导体上存在恒定电压则可以测量电流差，电压差与磁场强度成正比，这说明霍尔效应的应用方式可以分为两种，尽管这两种方式的基础效应是相同的，相对于背景噪声，因场变化而导致的信号电平很小，因此要想利用信号电平，必须采用相当复杂的信号路径。

　　

　　IMC 技术的引入意味着霍尔效应可以应用于汽车行业的许多领域，通过三维操作，霍尔效应传感器 IC 可用于检测踏板的位置、转向柱的旋转和制动杆的状态以及电动座椅的位置，霍尔效应传感器 IC 还应用于发动机罩下，以监测泵和电机等运动部件，还可以测量动力总成带电部件（如逆变器、蓄电池监测系统 （BMS） 或车载充电器 （OBC））所消耗的电流。

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