MOS管实战之MOS管的外围电路设计与电源电路应用

　　问题一

　　MOS管电源电路应用问题

　　

　　1.这是一个220V输入后整流，再经过两个MOS管脉冲调节， 再经过变压器放大的电源电路

　　问：请问下1和2 两个MOS 分别是起到什么作用的

　　问题二

　　MOS管的外围电路设计

　　现在用全桥输出拓扑较多

　　经常看见在每个桥臂的MOS管G极前加一个阻值不大但是功率较大的电阻

　　同时和MOS并联的还有一个RCD（电阻+二极管+电容）电路

　　现在知道这个RCD电路是用于汲取MOS管的突波或者尖峰电压

　　

　　问：在实际中如何选型RCD器件，以及G极的电阻

　　上期答案：

　　答：建议选用P MOS管 因为一般来讲光耦多用于信号器件，隔离干扰之类的，所以用P型MOS管做开关驱动会比较好，N型MOS管用于5V左右电压的环境，一般超过12V以上的都建议选用P型MOS管，当然这主要是成本问题，要是不差钱，那就随便选，用P型MOS管的话，把MOS管链接到电源和设备的正极，然后用一个小的三极管驱动MOS管，链接方式就是从芯片IO端口到三极管到MOS管到设备。

　　2.针对应用场景，建议使用电阻分压的方案，将采样电阻接在MOS管的D极进行分压处理，直接将分压后的信号给CPU。这种方案简单可靠，成本低廉，适用于大多数应用场合。

　　如果您需要更高的隔离性能，可以考虑使用光耦隔离器，将MOS管的D极信号隔离，通过光耦隔离器输出给CPU。这种方案具有优良的隔离性能，可以有效地幸免信号干扰和电气隔离问题，但成本相对较高。

　　另外，如果需要对采样信号进行进一步处理，如放大、滤波等，可以在分压电阻后面加一个运放电路或滤波电路。但这样会增加电路的复杂度和成本。